长久以来NAND型闪存一向为韩国三星电子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）及日本东芝（Toshiba）所主导，而此局势让身为半导体大厂的英特尔（Intel）看在眼里难免不是滋味，对此，英特尔表示，将快马加鞭在2006年底正式导入50纳米投产NAND型闪存，且容量也会快速拉高，此外，为进一步使计算机使用效能快速提升，英特尔所推出的全新技术ROBSON，也预期在2007年初期正式推出。

    看准未来NAND型闪存市场成长动能仍相当庞大，身为半导体巨擘的英特尔，甫于2005年底与美光（Micron）共同出资成立IM 闪存，正式向市场表明进军NAND型闪存市场的决心与努力。

    而由于三星等国际NAND型闪存大厂目前均已采用90纳米量产NAND型闪存，且已将产品容量推至16Gb甚至32Gb，然回顾英特尔目前推出的最高容量仅限于8Gb，对此，英特尔表示，目前投产制程技术已到90纳米，且预期到2006年底前，将会正式采用50纳米投产NAND型闪存，而这样的制程技术事实上将足以让英特尔与三星、海力士、东芝等大厂一较高下。

    英特尔相当自信地表示，将持续发展NOR型闪存与NAND型闪存，而10日英特尔为展现其在NOR型闪存产品上的实力，正式对外公布开始采用65纳米投产NOR型闪存；英特尔现阶段虽仅采用8吋厂投产NAND型闪存芯片组，然位于维吉尼亚州Manassas市的12吋厂预定在年中量产，此外，犹他州Lehi市的12吋厂2007年也将进入投产，最新1座12吋厂则最快在2008年底或2009年初加入量产行列。

    英特尔表示，结合硬盘与闪存的Robson科技，目前已将闪存封装进入模块中，嵌入笔记型计算机主机板上的插槽，同时使用闪存与硬盘搭配，以提高效能，待启动计算机时直接从闪存读取信息，消耗时间较硬盘来得短。此外，在计算机运作过程中，采取将信息写入闪存中，无需再写入硬盘中，进一步节省电池寿命，Robson技术目前预期到2007年初将可大量推出。

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