英特尔（Intel）布局NAND型闪存市场脚步愈走愈快，继与美光（Micron）合资成立IM 闪存 Technologies，近期更提出ONFI（Open NAND 闪存 Interface）计划，目的是将所有NAND型闪存接口进行规格大一统，企图掌控规格制订发球权，英特尔现正广邀上、下游厂商共同加入此项计划，并已有重量级国际系统大厂及台湾记忆卡芯片设计业者名列创始会员之一。

    英特尔官方12日证实有关ONFI计划一事，英特尔表示，原本规划在10日所举办春季亚太科技论坛（IDF）上，将针对ONFI计划进行演讲，详细解说其发展方向，然因主讲者因故无法抵台，遂未能向外界详细说明ONFI计划内容。

    事实上，目前上游NAND型闪存供货商山头林立，各家厂商都有各自的接口规格，产业处于规格未统一的战国时代，因此，下游厂商在与不同NAND型闪存供货商搭配时，必须针对不同厂商芯片进行独立开发，而这样的情况在记忆卡芯片设计产业最为明显。

    IC设计业者表示，由于NAND型闪存芯片与记忆卡控制芯片之间，需要相当紧密配合度，因此，自从英特尔于2005年底着手规划ONFI计划后，便引发设计业者高度关注。

    据参与该项计划的业者指出，英特尔针对NAND型闪存接口规格提出ONFI计划，绝对是有一统江湖的强烈企图心，尽管英特尔在NAND型闪存市场处于后进者地位，但科技业老大哥一出手，不会只是想在产能上追过同业这么简单，要玩就一定会玩大的，因此，往规格制订者的方向前进，将是英特尔有兴趣布局的领域。

    值得注意的是，英特尔要在NAND型闪存领域主导规格走向，恐怕还得看龙头厂三星电子（Samsung Electronics）态度如何。IC设计业者指出，毕竟三星现在手握逾5成NAND型闪存市占率，若能说服三星加入ONFI计划，英特尔未来在推动规格标准的路上，将可达事半功倍之效。不过，三星发言系统12日对此表示，目前无法透露是否会加入，但正密切观察ONFI计划中。

    目前位居全球半导体产业营收排名前2大的英特尔与三星，过去双方交手机会不多，但随着NAND型闪存市场蓬勃发展，英特尔于2005年底正式宣布与美光连手，进军NAND型闪存市场，并积极加入快闪记忆卡相关组织，如MMCA（The MultiMediaCard Association），使得2者之间维持继竞争又合作的关系。

    针对三星未来走向，台厂则持不同看法，部份业者认为，订立标准是相当大的工程，且NAND型闪存长久以来是三星所独占领域，若三星不加入ONFI计划，英特尔成功机率恐怕不高。

    不过，另有业者指出，尽管英特尔在NAND型闪存脚步略为落后，且现阶段NAND型闪存主要大厂对于英特尔欲一统规格动作仍心存观望，但未来IM 闪存产能爆发力不容忽视，若加上英特尔打算藉由闪存卡及系统业者抬轿作法，若有愈来愈多重量级系统大厂愿意配合，英特尔就算没有三星或东芝（Toshiba）等厂奥援，其实仍大有可为。

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