Flash固态硬盘的优劣势
　
　　相对于DRAM，Flash由于保存数据不用电力支持，所以对于USB thumb这样的设备、相机、手机而言，还是相当有吸引力的。也正是因为消费电子市场的需求驱动，众多的厂商被吸引到了这部分市场，大量的金钱被投入到了NAND flash的研发。结果就是NAND flash技术迅速发展并日渐成熟，拥有了越来越大的容量、越来越好的I/O能力，而且价格不断走低。
　
　　2004年到2006年，多数NAND flash还是2Gbit 或4Gbit的 multi-level cells （MLCs），而更低容量的single-level cell （SLC） NAND flash则被用于企业领域，当时还是90纳米制程，最大支持每cell 2bits.今天50nm制程的16Gbit的 MLC flash支持3bits和4bits每cell，这样的配置已经很常见了。
　
　　那么flash的技术是否已经足够完美，可以与传统磁盘存储技术相竞争抗衡了呢？其实Flash技术同样有着先天的瓶颈和制约，受到控制器技术的限制，基于Flash的固态硬盘的写入寿命相对而言是非常有限的。
　
　　基于Flash的固态硬盘单位空间内的写入寿命通常都有一定的限制，一般来说，企业会通过类似于磁盘存储技术中的“热点均衡”技术来均衡写入负载，避免在固态硬盘内部造成频繁写入的“热点”，但固态硬盘的另外一个特质使得这个缺陷变得更加不可接受：由于固态硬盘那的存储介质是电子器件，因此如果某一个单位的存储空间发生器质性故障，整个硬盘都无法继续工作，而传统磁盘是却能够屏蔽掉坏掉的磁道并继续保持工作状态。
　
　　目前而言，厂商普遍通过RAID数据冗余保护机制来保护硬盘数据。此外，内存本身的ECC校验功能也能很好的弥补这一缺陷。因此一些企业级SSD厂商提供的固态硬盘产品同样提供了2-3年的质量保证。
　
　　Flash在个人存储以及嵌入式存储领域的应用如此广泛，众多的厂商都成为该项技术的拥护者，其中不乏一些市场规模、推动力都属一线的IT厂商，包括Intel在内，EMC、SUN、三星等多家厂商都推出了采用Flash技术的产品。在这些大厂商的推动下，Flash的价格下降的相当迅速，目前存在的技术缺陷，也有望在不久的将来能够迅速得到改进和完善。
　
　　目前为止，Flash的价格仍然是相同FC磁盘的20倍，但价格下降趋势使得固态存储能够被更多的企业用户所接受，也使得我们看到了固态存储在未来呈普及趋势的光明。Enterprise Strategy Group （ESG）企业策略集团的分析师Mark Peters认为“未来3~5年，固态硬盘将会变成商业存储的标准。”
　

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